特許

J-GLOBAL ID：200903072071251787

シリコン単結晶育成方法

発明者： 渡邉 匡人 ,  江口 実
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 天野 広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-304208
公開番号（公開出願番号）：特開平11-139893
出願日： 1997年11月06日
公開日（公表日）： 1999年05月25日
要約：

【要約】【課題】 結晶の引き上げ方向において、直径方向の酸素濃度が均一で、酸素濃度の微少変動による成長縞のないシリコン単結晶を育成する。【解決手段】 カスプ磁場印加チョクラルスキー法によるシリコン単結晶育方法において、石英ルツボ3内のシリコン融液2の深さの1/ 3よりも深い位置にカスプ磁場中心6が位置するようにカスプ磁場を印加する。さらに、結晶育成中に、カスプ磁場中心とシリコン融液表面との相対的位置関係を常に保つために、シリコン融液表面位置をモニターし、相対距離を一定に保つように制御を行う。

請求項（抜粋）：

カスプ磁場印加チョクラルスキー法によるシリコン単結晶育成方法において、カスプ磁場の中心位置をルツボ内のシリコン融液の表面から該シリコン融液の深さの3分の1より深い位置に設定することを特徴とするシリコン単結晶育成方法。