特許

J-GLOBAL ID：200903072074806925

配線形成方法

発明者： 齊藤 政良 ,  平沢 賢斉 ,  加藤 聖隆 ,  飯田 啓之 ,  萩原 嘉男 ,  中山 寿昌
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-106648
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293780
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】 上下層の配線間に形成される層間絶縁膜の平坦性を向上させ、配線形成プロセスの歩留まり向上を図る。【解決手段】 半導体基板上に互いに近接して配置される第1の配線と第2の配線および前記第1、第2の配線とは離間して配置される第3の配線を形成する工程と、前記それぞれの配線が形成された前記半導体基板上に炭素含有率が13.5重量%以上の有機SOG膜形成材料を含む薬液を塗布する工程と、前記有機SOG形成材料を焼成して有機SOG膜を形成する工程と、前記有機SOG膜上に導電膜を形成した後、前記導電膜を選択的にエッチングして上層の配線を形成する工程とを含む配線形成方法である。この有機SOG膜形成材料は平坦性が良いため、層間絶縁膜の平坦性が向上し、上層配線の短絡不良を防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に互いに近接して配置される第1の配線と第2の配線および前記第1、第2の配線とは離間して配置される第3の配線を形成する工程と、前記それぞれの配線が形成された前記半導体基板上に炭素含有率が13.5重量%以上の有機SOG膜形成材料を含む薬液を塗布する工程とを含むことを特徴とする配線形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/90 Q ,  H01L 21/316 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-104859   出願人：株式会社日立製作所
• オルガノシロキサンオリゴマー液及びそれを用いた有機塗布ガラス膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-227589   出願人：株式会社日立製作所, 日立化成工業株式会社