特許

J-GLOBAL ID：200903072078686061

有機電界効果型トランジスタ及びその製造方法

発明者： 宮崎 元 ,  中山 寛晴 ,  三浦 大祐 ,  宇野 英満 ,  小野 昇
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-056144
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266157
出願日： 2003年03月03日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】有機半導体層の簡便な形成方法を用いた、電界効果移動度が大きな電界効果型トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】有機半導体層を有する有機電界効果型トランジスタの製造方法であって、該有機半導体層を、一般式(1)で示されるビシクロ環を分子内に少なくとも1つ以上含むビシクロ化合物の光分解により形成する工程を有する有機電界効果型トランジスタの製造方法。【化1】(式中、R1とR3は共同で結合する基と共に置換基を有してもよい芳香環または複素芳香環を形成する基を示す。R2、R4は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、エステル基、フェニル基を示す。Xは脱離基でありカルボニル基または-N=を示す。)【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

有機半導体層を有する有機電界効果型トランジスタであって、該有機半導体層が有機半導体前駆体の光分解による生成した有機半導体材料からなることを特徴とする有機電界効果型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618A

Fターム (16件)：

5F110AA16 ,  5F110CC03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 液晶表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-205794   出願人：株式会社東芝
• 有機薄膜トランジスタ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-006863   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社

審査官引用 (2件)

• 液晶表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-205794   出願人：株式会社東芝
• 有機薄膜トランジスタ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-006863   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社

引用文献：

出願人引用 (4件)

• High-Performance, Solution-Processed Organic Thin Film Transistors from a Novel Pentacene Precursor
• Precursor route pentacene metal-insulator-semiconductor field-effect transistors
• A Soluble Pentacene Precursor: Synthesis, Solid-State Conversion into Pentacene and Application in a
• Evidence for the expulsion of bis-CO from bridged α-diketones

審査官引用 (4件)

• High-Performance, Solution-Processed Organic Thin Film Transistors from a Novel Pentacene Precursor
• Precursor route pentacene metal-insulator-semiconductor field-effect transistors
• A Soluble Pentacene Precursor: Synthesis, Solid-State Conversion into Pentacene and Application in a
• Evidence for the expulsion of bis-CO from bridged α-diketones