特許
J-GLOBAL ID：200903072080880312
半導体レーザ装置およびそのヒートシンクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-159486
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005987
出願日： 1992年06月18日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】この発明の目的は、潰し法によって正確な位置精度を有するマウント面を形成できるとともに、半導体レーザ素子の光量をモニタするための光を阻害する無用な突部が生じない半導体レーザ装置およびそのヒートシンクの製造方法を提供する。【構成】ステム12とホルダ13の側面部13b の相互間にある隙間を、ステム12の中心位置12a とヒートシンク11のマウント面11a との距離より小さく設定し、圧縮板14a を移動してヒートシンク11の裏面11b を押圧し、側面部13b によってステム12の移動位置が規制された状態で、ヒートシンク11のマウント面11a をステム12の中心位置12a 方向に突出させ、圧縮板14b によりヒートシンク11を潰し整形して全体をクランク形状とするとともに、突出したマウント面11a を中心位置12a に一致させている。したがって、マウント面11a の位置精度が良好で、モニタ光を阻害することもない。
請求項（抜粋）：
基体と、この基体の表面に設けられ、この基体の表面と直交するマウント面を有し、このマウント面の上部がマウント面の下部より突出したクランク状のヒートシンクと、前記突出されたマウント面に装着される半導体レーザ素子と、前記基体に設けられ、前記半導体レーザ素子から出射される光を受光し電気信号に変換する変換素子と、を具備したことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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