特許
J-GLOBAL ID：200903072084499702
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-267373
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116189
出願日： 1995年10月16日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、チップ側面からの光の放射を抑制して単色性に優れた半導体発光素子を提供することを課題とする。【解決手段】 この発明は、化合物半導体基板上に発光層を含む化合物半導体層が積層されてなる半導体発光素子において、光取り出し面から前記発光層を貫通する深さの溝がチップの周辺近傍に沿って形成され、前記発光層の溝内壁面と前記チップの側面とのなす角θ<SB>1 </SB>(0≦θ<SB>1 </SB><90°)ならびに前記発光層の溝外壁面と前記チップの側面とのなす角θ<SB>2 </SB>(0≦θ<SB>2 </SB><90°)は、前記チップの屈折率をn1 、前記溝に埋め込まれる樹脂の屈折率をn2 とし、n=n1 /n2とすると、次式、【数1】n×sin [θ<SB>2 </SB>-arcsin〔sin { θ<SB>1</SB>+θ<SB>2 </SB>-arcsin(n×sin θ<SB>1 </SB>)}/n〕]≧1により規定されて構成される。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に発光層を含む化合物半導体層が積層されてなる半導体発光素子において、光取り出し面から前記発光層を貫通する深さの溝がチップの周辺近傍に沿って形成され、前記発光層の溝内壁面と前記チップの側面とのなす角θ<SB>1 </SB>(0≦θ<SB>1</SB><90°)ならびに前記発光層の溝外壁面と前記チップの側面とのなす角θ<SB>2 </SB>(0≦θ<SB>2 </SB><90°)は、前記チップの屈折率をn1 、前記溝に埋め込まれる樹脂の屈折率をn2 とし、n=n1 /n2 とすると、次式、【数1】n×sin [θ<SB>2 </SB>-arcsin〔sin { θ<SB>1</SB>+θ<SB>2 </SB>-arcsin(n×sin θ<SB>1 </SB>)}/n〕]≧1により規定されてなることを特徴とする半導体発光素子。
FI (3件)：
H01L 33/00 A
, H01L 33/00 B
, H01L 33/00 E
