特許
J-GLOBAL ID：200903072085357642
半導体プロセスシミュレーション方法および半導体プロセスシミュレーション手順をコンピュータが読取可能な記憶媒体
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-354760
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189407
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 プロセスの低温化とデバイスの微細化により発生しているシリコン・シリコン酸化膜界面への不純物の偏析をシミュレーションすることを実現し,その安定化も図る半導体プロセスシミュレーション方法を提供すること。【解決手段】 半導体の製造プロセスをシミュレートする半導体プロセスシミュレーション方法において,製造プロセスにおける熱酸化工程を酸化形状と不純物拡散とを連結させて解くモデルを使用するものであって,第1のメッシュを用いて酸化形状を解くステップS101〜S104と,第1のメッシュとは異なる第2のメッシュを用いて不純物拡散を解くステップS106〜S108と,を含む。
請求項（抜粋）：
半導体の製造プロセスをシミュレートする半導体プロセスシミュレーション方法において,前記製造プロセスにおける熱酸化工程を酸化形状と不純物拡散とを連結させて解くモデルを使用するものであって,第1のメッシュを用いて前記酸化形状を解く第1の工程と,前記第1のメッシュとは異なる第2のメッシュを用いて前記不純物拡散を解く第2の工程と,を含むことを特徴とする半導体プロセスシミュレーション方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 21/22
, H01L 21/316
H01L 21/02 Z
, H01L 21/22 Z
, H01L 21/316 Z
