特許
J-GLOBAL ID：200903072086467964
半導体処理方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-082983
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074714
出願日： 1991年03月25日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】被処理体の表面処理を行う半導体処理において、被処理体の表面に形成される薄膜の成分及び結合量を検出する。【構成】被処理体15の表面処理を行う処理室1と同一雰囲気の室2内に被処理体15と同質の試料3を配設する。光源4から照射される赤外光を試料3の一端面から入射すると共に、試料3内で全反射させた後に他端面から取出し、その取出された赤外光の減少を検出手段5にて検出する。【効果】試料内を全反射して取出された赤外光の減少を検出手段にて検出することにより、被処理体の表面に形成される薄膜の成分及び結合量を正確に検出することができる。
請求項（抜粋）：
所定の環境に設定された処理室内に配設される被処理体に処理媒体を供給して、被処理体の表面処理を行う半導体処理方法において、上記処理室と同一雰囲気の室内に、被処理体と同質の試料を配設し、上記試料の一端面から入射される赤外光を試料内で全反射させた後に他端面から取出し、その取出された赤外光の減少を検出することにより、上記試料を介して被処理体の状態を検出することを特徴とする半導体処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, G01N 21/35
, H01L 21/302
, H01L 21/66
