特許

J-GLOBAL ID：200903072087418053

光デバイス

発明者： 倉又 朗人 ,  原 真二郎
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-074749
公開番号（公開出願番号）：特開2003-270557
出願日： 2002年03月18日
公開日（公表日）： 2003年09月25日
要約：

【要約】【課題】 光デバイスに関し、低電圧動作が可能で、化合物半導体デバイスと集積化するのに好適な微小駆動機構をもつ光デバイスを実現させようとする。【解決手段】 化合物半導体基板1上に変位可能に配設され且つ自発磁化が可能な磁性半導体層7と、磁性半導体層7上に設けられ且つ磁性半導体層7と共に変位可能な可動ミラー9と、磁性半導体層7の近傍に配設され電流が流れた場合に誘導磁界を発生して磁性半導体層7の自発磁化に依る磁界との相互作用で該磁性半導体層7を変位させる導線10A及び10Bとを備える。

請求項（抜粋）：

化合物からなる基板上に変位可能に配設され且つ自発磁化が可能な磁性半導体層と、該磁性半導体層上に設けられ且つ該磁性半導体層と共に変位可能な可動ミラーと、該磁性半導体層の近傍に配設され電流が流れた場合に誘導磁界を発生して該磁性半導体層の自発磁化に依る磁界との相互作用で該磁性半導体層を変位させる導線とを備えてなることを特徴とする光デバイス。

IPC (3件)：

G02B 26/08 ,  G02B 26/06 ,  H01S 5/026 610

FI (3件)：

G02B 26/08 E ,  G02B 26/06 ,  H01S 5/026 610

Fターム (14件)：

2H041AA12 ,  2H041AA23 ,  2H041AB14 ,  2H041AC04 ,  2H041AZ02 ,  2H041AZ06 ,  2H041AZ08 ,  5F073AA22 ,  5F073AB12 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073EA04