特許

J-GLOBAL ID：200903072098920265

フェイスダウン実装基板及びフェイスダウン実装方法

発明者： 木谷 充志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 大塚 康徳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-122973
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315855
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】 異方性導電ペースト(ACP)の流動性、導電粒子の分散程度如何に影響されず、常に安定した電気的導通を図る。【解決手段】 基板7に形成された端子12を開口部を有するように保護膜11で被覆し、IC素子5に金属突起部のバンプ1を形成し、導電粒子4を分散した導電性接着剤3を介在させて、電気的接続を図るフェイスダウン実装基板であって、バンプ1の第1の接続面1aよりも開口部の第2の接続面12aを大きく設定する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された配線及び配線を覆う保護膜と、前記保護膜の開口部で形成された端子を設けた配線基板に対し、IC側の端子上にメタル層及び前記メタル層上に金属突起部を設け、導電性接着剤で、前記基板の配線及び端子を設けた面と前記IC側の金属突起を設けた面とを接着し、同時に端子間の電気的接続をとるフェイスダウン実装基板であって、前記金属突起の寸法より、基板側の接続端子の前記保護膜の開口部の寸法が大きいことを特徴とするフェイスダウン実装基板。

IPC (5件)：

H05K 3/34 502 ,  H01L 21/60 311 ,  H05K 1/18 ,  H05K 3/28 ,  H05K 3/32

FI (5件)：

H05K 3/34 502 D ,  H01L 21/60 311 S ,  H05K 1/18 L ,  H05K 3/28 B ,  H05K 3/32 B

Fターム (22件)：

5E314BB06 ,  5E314BB15 ,  5E314DD04 ,  5E314DD07 ,  5E314GG26 ,  5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319AC13 ,  5E319BB16 ,  5E319CD04 ,  5E319CD29 ,  5E336AA04 ,  5E336BC28 ,  5E336BC32 ,  5E336CC32 ,  5E336CC58 ,  5E336EE08 ,  5E336GG21 ,  5F044KK01 ,  5F044KK12 ,  5F044LL09 ,  5F044QQ02