特許
J-GLOBAL ID：200903072099898662
半導体メモリー装置用電圧降下回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-298367
公開番号（公開出願番号）：特開平7-192465
出願日： 1994年12月01日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、所定の電圧レベルを安定的に維持する降圧電圧を発生してメモリーブロック及びその周辺回路を過負荷から保護し、その信頼性を向上させることができる半導体メモリー装置の電圧降下回路を提供する。【構成】 本発明は、基準電圧発生部からの基準電圧をスタンバイモード及びアクティブモードにより異なる電圧レベルで降圧し、降圧された電圧をメモリーブロック及びメモリー周辺回路側に送り出す降圧電圧駆動部と、前記降圧電圧駆動部の出力電圧が所定の電圧レベルを越えるのを検出するためのオーバシュート検出器と、前記オーバシュート検出器の出力により前記メモリーブロック及びメモリー周辺回路に供給される電圧信号のレベルを調節し、前記降圧電圧駆動部の出力電圧に発生したオーバシュート成分を取り除く電圧調節部とを備える半導体メモリー装置の電圧降下回路。
請求項（抜粋）：
メモリーブロックと、前記メモリーブロックを制御するためのメモリー周辺回路と、前記メモリーブロック及び前記メモリー周辺回路を駆動するため、外部からの電源電圧を分圧するための基準電位発生手段とを備えた半導体メモリー装置において、前記基準電圧発生手段からの基準電圧をスタンバイモード及びアクティブモードにより異なる電圧レベルで降圧し、降圧した電圧を前記メモリーブロック及びメモリー周辺回路側に送り出す降圧電圧駆動手段と、前記降圧電圧駆動手段の出力電圧が、所定の電圧レベルを超過するか否かを検出するためのオーバーシュート検出手段と、前記オーバーシュート検出手段の出力により、前記メモリーブロック及びメモリー周辺回路に供給される電圧信号のレベルを調節し、前記降圧電圧駆動手段の出力電圧に発生したオーバーシュート成分を取り除く電圧調節手段とを備えたことを特徴とする半導体メモリー装置の電圧降下回路。
IPC (2件)：
G11C 11/407
, G11C 11/413
G11C 11/34 354 F
, G11C 11/34 335 A
