特許
J-GLOBAL ID：200903072099953370
結晶基体のドーピング
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-162075
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106958
出願日： 1996年06月21日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：
【要約】【課題】 例えばダイヤモンド、立方晶系の窒化硼素、または炭化硅素のような結晶性基体を例えば硼素、燐、または砒素のようなドーパント原子でドーピングする方法を提供する。【解決手段】 結晶性基体の結晶格子内に空格子点と格子間原子を含有する第1の破損層を生成し、この第1の破損層とは別箇であって、ドーパント原子を含有する第2の破損層を生成する条件下でドーパント原子を打込み、生成した第2の層内のドーパント原子をこの層から第1の層内の空格子点中に拡散させて、第1の層内の置換位置を占有させて行う。
請求項（抜粋）：
結晶格子を有する結晶性基体のドーピング方法において、基体を準備し、結晶格子内に空格子点と格子間原子を含有する第1の破損層を生成し、この第1の破損層とは別箇であって、ドーパント原子を含有する第2の破損層の生成条件下でドーパント原子を打込み、生成した第2の層内のドーパント原子をこの層から第1の層内の空格子点中に拡散させて、第1の層内の置換位置を占有させることから成るドーピング方法。
FI (2件)：
H01L 21/265 Q
, H01L 21/265 A
