特許

J-GLOBAL ID：200903072105338984

メッキ処理装置

発明者： 田中 義嗣
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-327590
公開番号（公開出願番号）：特開2002-129391
出願日： 2000年10月26日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：

【要約】【課題】 メッキ処理に要する負担を増加することなくメッキ形成膜厚の処理面内均一性を向上することが可能なメッキ処理装置を提供すること。【解決手段】 アノード電極と被処理体の導電層との間にメッキ液を分かつ電解隔膜を設け、その電解隔膜の表裏面間の面積電気抵抗または膜厚を、その部位により異ならしめる。その異ならせる分布は、ほぼ同心円状に外に向かうほど増加する分布とする。これにより、アノード電極表面から被処理体の導電層各部位表面までのメッキ液および電解隔膜の電気抵抗は、被処理体の周縁に近いものほど大きくなり、被処理体の周縁に近いほど流れる電流を減少させ、結果として、被処理体の処理面に形成されるメッキ形成膜厚を均一化させる。メッキ液の流れを阻害する構造体は存在せず、メッキ液をより多量に噴出させる必要性も生じない。

請求項（抜粋）：

第1および第2のメッキ液を収容し、被処理体の処理面に形成された導電層を前記第1のメッキ液に接触させて前記導電層にメッキ形成を行うメッキ液槽と、前記メッキ液槽に設けられ、前記メッキ液槽に収容された前記第2のメッキ液に接触するアノード電極と、前記メッキ液槽に設けられ、前記導電層に接触する前記第1のメッキ液と前記アノード電極に接触する前記第2のメッキ液とを分かつ電解隔膜とを有し、前記電解隔膜は、ほぼ同心円状に外に向かうほどその表裏面間の面積電気抵抗が増加するものであることを特徴とするメッキ処理装置。

IPC (3件)：

C25D 17/00 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288

FI (3件)：

C25D 17/00 H ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E

Fターム (15件)：

4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024AB02 ,  4K024AB15 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024CA15 ,  4K024CB08 ,  4K024CB13 ,  4K024CB21 ,  4K024CB26 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104HH20