特許

J-GLOBAL ID：200903072111093020

光偏向素子

発明者： 梨本 恵一
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 渡部 剛 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-176939
公開番号（公開出願番号）：特開平9-005797
出願日： 1995年06月21日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 電気光学効果を利用した高速変調可能な光導波路型の光偏向素子において、低い駆動電圧で偏向角度を拡大させることにより、レーザー・プリンター、デジタル複写機、ファクシミリ等のオプト・エレクトロニクス全般に利用可能な光偏向素子を提供する。【構成】 光導波路と光源を有し、光導波路上に導電性又は半導電性の上部電極及び光導波路下に上部電極に対向する下部電極が設置され、その両電極間に電圧を印加することにより異なる屈折率を有する領域を発生させて光ビームを電圧に応じて偏向させる光偏向素子であって、該光導波路は、導電性又は半導電性の単結晶基板上に作製されたエピタキシャル又は配向性の強誘電体薄膜、或いは導電性又は半導電性のエピタキシャル又は配向性の薄膜を表面に有する単結晶基板上に作製されたエピタキシャル又は配向性の強誘電体薄膜により形成されてなり、該導電性又は半導電性の単結晶基板は光導波路下に設置された下部電極として作用する。

請求項（抜粋）：

電気光学効果を有する光導波路と、この光導波路内に光ビームを入射させる光源とその入射手段を有し、光導波路上には導電性または半導電性の上部電極及び光導波路下には上部電極に対向する下部電極が設置され、上部電極と下部電極との間に電圧を印加することにより異なる屈折率を有する領域を発生させて光ビームを電圧に応じて偏向させる光偏向素子において、該光導波路は、導電性または半導電性の単結晶基板上に作製されたエピタキシャルまたは配向性の強誘電体薄膜、あるいは導電性または半導電性のエピタキシャルまたは配向性の薄膜を表面に有する単結晶基板上に作製されたエピタキシャルまたは配向性の強誘電体薄膜により形成されてなり、該導電性または半導電性の単結晶基板は、光導波路下に設置された下部電極として作用することを特徴とする光偏向素子。