特許

J-GLOBAL ID：200903072114697423

シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

発明者： 末岡 浩治
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-062105
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243093
出願日： 1998年02月25日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】【課題】 基板の比抵抗が4〜20mΩcm、酸素濃度が(10〜18)×1017atoms/cm3(old ASTM)の半導体デバイス用シリコンエピタキシャルウェーハにおいて、デバイスプロセス投入時の段階ですでに酸素析出物をNi等の不純物ゲッタリングに十分な密度をもって含有するエピタキシャルウェーハの製造方法。【解決手段】 エピタキシャル膜の成膜後のウェーハ冷却工程で900°Cから700°Cの温度範囲を40°C/分以下の冷却速度で冷却した場合、あるいはエピタキシャル膜の成膜後に室温まで冷却し、さらに900°Cから700°Cの温度範囲で5分以上の熱処理を施した場合に、デバイスプロセスの極初期を含めてプロセス全体を通して重金属汚染があっても、デバイスを高歩留まりで製造可能となす、シリコンエピタキシャルウェーハが得られる。

請求項（抜粋）：

基板の比抵抗が4〜20mΩcm、酸素濃度が(10〜18)×1017atoms/cm3(old ASTM)のシリコンウェーハにシリコンエピタキシャル膜の成膜後、ウェーハの冷却工程で900°Cから700°Cの温度範囲を40°C/分以下の冷却速度で冷却し、105〜107/cm2オーダーの酸素析出物密度を有したウェーハを得るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/322 ,  C30B 29/06 ,  C30B 29/06 504

FI (3件)：

H01L 21/322 Y ,  C30B 29/06 B ,  C30B 29/06 504 D