特許

J-GLOBAL ID：200903072118749231

研磨装置および研磨パッド

発明者： 城 邦恭 ,  南口 尚士 ,  岡 哲雄
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-330785
公開番号（公開出願番号）：特開2000-202763
出願日： 1998年11月20日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板の上に形成された絶縁層または金属配線の表面を研磨により平滑にする機械的な平坦化工程で使用するための研磨装置または研磨パッドにおいて、半導体基板全面が均一に平坦化されまたウェーハエッジ近くまで均一な研磨が達成できる技術を提供するものである。【解決手段】 半導体基板を研磨ヘッドに固定し、研磨定盤に体積弾性率が60MPa以上でかつ引っ張り弾性率が0.1MPa以上20MPa以下であるクッション層を介して固着したマイクロゴムA硬度が70度以上でかつ引っ張り弾性率が1MPa以上500MPa以下の研磨層を前記半導体基板に押し当て、前記研磨ヘッド或いは研磨定盤或いはその双方を回転させて前記半導体基板を研磨することを特徴とする研磨装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板を研磨ヘッドに固定し、研磨定盤に、体積弾性率が60MPa以上でかつ引っ張り弾性率が0.1MPa以上20MPa以下であるクッション層を介して固着したマイクロゴムA硬度が70度以上でかつ引っ張り弾性率が1MPa以上500MPa以下の研磨層を、前記半導体基板に押し当てた状態で前記研磨ヘッドもしくは研磨定盤またはその双方を回転させて前記半導体基板を研磨することを特徴とする半導体基板の研磨方法。

IPC (2件)：

B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622

FI (2件)：

B24B 37/00 C ,  H01L 21/304 622 F

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB10