特許

J-GLOBAL ID：200903072120370290

配線形成方法及び装置

発明者： 本郷 明久 ,  大野 寛二 ,  君塚 亮一 ,  松田 尚起
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所 ,  荏原ユージライト株式会社
代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197327
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222776
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】 基板表面に微細穴と大穴が混在しても、めっき膜の平坦性を向上させて、その後のCMP加工をディッシングの発生を防止しつつ短時間で行うことができるようにした配線形成方法及び装置を提供する。【解決手段】 表面に微細窪みを形成した基板を用意する工程と、前記基板の表面にめっき液中でめっきを施す工程と、前記基板の表面に形成されためっき膜をエッチング促進剤として機能する添加剤を含有したエッチング液中で電解エッチングする工程とを有する。

請求項（抜粋）：

表面に微細窪みを形成した基板を用意する工程と、前記基板の表面にめっき液中でめっきを施す工程と、前記基板の表面に形成しためっき膜をエッチング液中で電解エッチングする工程とを有することを特徴とする配線形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/288 ,  C25F 3/02 ,  C25F 3/14 ,  C25F 7/00 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/288 E ,  C25F 3/02 A ,  C25F 3/14 ,  C25F 7/00 L ,  H01L 21/88 K

Fターム (10件)：

4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104HH12 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK00 ,  5F033KK32 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ48 ,  5F033XX01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• メッキ膜の形成方法及び形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-227111   出願人：株式会社東芝
• 均一な薄膜を最小限のエッジ除外で基板上へ電着する方法および装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-558562   出願人：ナトゥール・インコーポレイテッド