特許

J-GLOBAL ID：200903072120797405

半導体装置とその製造方法

発明者： 板垣 峰広 ,  中村 嘉文 ,  別所 芳宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-065018
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260528
出願日： 1996年03月21日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 高密度実装が容易なLGAタイプの半導体装置において、この半導体装置を外部装置に実装した後は、外部からその動作確認のための検査を行うことができない。【解決手段】 キャリア基板12と半導体素子11とを有する半導体装置において、前記キャリア基板12の両面に電極13,17が設けられ、この両面の電極13,17が、前記キャリア基板に形成された貫通孔に導電物質を充填して構成されたビア16を介してそれぞれ電気的に接続され、前記キャリア基板12の一方の面に前記半導体素子11が搭載され、前記キャリア基板12の所望の位置に動作確認検査用電極19が設けられている。

請求項（抜粋）：

キャリア基板と半導体素子とを有する半導体装置において、前記キャリア基板の両面に電極が設けられ、この両面の電極が、前記キャリア基板に形成された貫通孔に導電物質を充填して構成されたビアを介してそれぞれ電気的に接続され、前記キャリア基板の一方の面に前記半導体素子が搭載され、前記キャリア基板の所望の位置に動作確認検査用電極が設けられ、前記動作確認検査用電極が、前記キャリア基板の内層配線または裏面配線と、ビアとを介して前記半導体素子に接続されていることを特徴とする半導体装置。