特許

J-GLOBAL ID：200903072122198622

光検出用半導体装置

発明者： 森川 武則 ,  田代 勉
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-010899
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205222
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】 光吸収効率が向上し、生産性向上のためにフォトダイオード作製に要する時間が短縮された光検出用半導体装置を提供する。【解決手段】 フォトダイオードの光吸収層に、シリコン基板1の表面に平行な層を形成するSi/SiGe超格子層6と、Si/SiGe超格子層をはさんで上部及び下部にSi/SiGe超格子層6中のGeの含有率よりも低いGeを含んだP型低Ge濃度SiGeエピタキシアル層5、7とを有し、また、上部のSiGeエピタキシアル層7の直上に、高濃度のP+ 型Siコンタクト層8を有し、下部のSiGeエピタキシアル層5の直下に高濃度のN+ 型エピタキシャル層を有している。上部及び下部のSiGeエピタキシアル層5、7中のGe濃度は、少なくとも1%以上であることが望ましい。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上にフォトダイオードが形成された光検出用半導体装置において、前記フォトダイオードの光吸収層に、前記シリコン基板の表面に平行な層を形成するSi/SiGe超格子層と、前記Si/SiGe超格子層をはさんで上部及び下部にSiGeエピタキシアル層とを有し、前記上部及び下部のSiGeエピタキシアル層中のGe濃度が、前記Si/SiGe超格子層のGe濃度よりも低いことを特徴とする光検出用半導体装置。