特許

J-GLOBAL ID：200903072124799623

プラズマ処理方法

発明者： 三原 智
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349237
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204177
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】静電吸着装置をもちいたプラズマ処理方法において、基板が脱離する際に発生する搬送のトラブルを無くしたプラズマ処理方法を得る。【構成】 基板を静電吸着装置をもちいて保持し、プラズマ処理する装置で、絶縁膜中に2枚以上の電極を埋設し、2枚以上の電極は電極群A及び電極群Bに分けられ、電極群Aには+V<SB>1 </SB>、電極群Bには-V<SB>2 </SB>(V<SB>1 </SB>とV<SB>2 </SB>は絶対値)を印加し、基板を吸着させ、プラズマ照射中に電極群Aに印加する電圧V<SB>3 </SB>及び電極群Bに印加する電圧-V<SB>4 </SB>(V<SB>3 </SB>とV<SB>4 </SB>は絶対値)を処理中またはプラズマ照射直後に絶対値を小さくする(V<SB>3 </SB><V<SB>1 </SB>,V<SB>4 </SB><V<SB>2 </SB>)事で、基板離脱時の搬送のトラブルを無くす。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理装置内であって、絶縁膜中に電極群A及び電極群Bに分けられた2枚以上の電極が埋設された静電チャックに対し、該電極群Aには第1の電圧(+V<SB>1 </SB>)、該電極群Bには該第1の電圧とは絶対値の異なる第2の電圧(-V<SB>2 </SB>)を印加して基板を該静電チャックに吸着させる工程と、プラズマ照射中に該電極群Aに印加する第3の電圧(V<SB>3 </SB>)及び該電極群Bに印加する第4の電圧(-V<SB>4 </SB>)を処理中またはプラズマ照射直後にその絶対値を小さくする(V<SB>3 </SB><V<SB>1 </SB>,V<SB>4 </SB><V<SB>2 </SB>)工程とを有する事を特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-247639
  
• 特開平4-343447
  
• 特開平4-206546