特許

J-GLOBAL ID：200903072132321120

光増幅素子

発明者： 山田 敦司 ,  吉田谷 弘明
出願人/特許権者： アンリツ株式会社
代理人 (1件)： 小池 龍太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-090719
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283824
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】光増幅素子の光増幅の偏光方向における依存性を広い光波長の範囲で低減すること、およびキャリア注入を変化させても、光増幅素子の利得の偏光方向における依存性の変化を低減することが目的である。【構成】基板1と、活性領域2と、クラッド層3とを有する光増幅素子において、活性領域2は、光閉じ込め層2aと、少なくとも一層が他層と厚さが相違し、かつ格子不整合とされた複数の量子井戸層2bと、各量子井戸層間に量子井戸層に接して形成された障壁層2cとで構成した。

請求項（抜粋）：

基板(1)と、活性領域(2)と、クラッド層(3)とを有する光増幅素子において、前記活性領域は光閉じ込め層(2a)と、少なくとも一層が他層と厚さが相違し、かつ格子不整合とされた複数の量子井戸層(2b)と、前記各量子井戸層間に量子井戸層に接して形成された障壁層(2c)とでなる光増幅素子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/35 501 ,  H01S 3/10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 量子井戸型半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-138743   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-304993