特許

J-GLOBAL ID：200903072135554347

薄膜気相成長装置

発明者： 久保田 清
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 成田 擴其
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-073108
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246192
出願日： 1996年03月05日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 被成膜基板の上方のリアクタ壁面への生成物の付着を阻止し、パーティクル汚染を防止すること。【解決手段】 複数枚の被成膜基板2はサセプタ1の上に配置される。サセプタの上方に位置するリアクタ3の壁面に、同軸状のノズル4が垂直に設けられており、同ノズルは、2系統の原料ガスA,Bを供給する内管5と外管6に加え、外管の外側にバリアガスCの供給管8を有する。内管と外管からの原料ガスはサセプタの上面を放射状、半径方向に流れ、被成膜基板の直前で混合され、熱化学反応により基板上に膜を成長させる。バリアガス供給管からのバリアガスはリアクタ壁面に沿って、リアクタ壁面と原料ガスの間を流れ、リアクタ壁面に原料ガスによる生成物が付着するのを防ぐ。

請求項（抜粋）：

サセプタの上方のリアクタ壁面に垂直に設けた内管と外管を有する同軸状のノズルから2系統の原料ガスを、サセプタ上に配置された複数枚の被成膜基板の上面に水平に供給する薄膜気相成長装置において、前記同軸状のノズルの外管の外側にバリアガス供給管を同軸状に設け、このバリアガス供給管から前記リアクタ壁面に沿ってバリアガスを流すように構成したことを特徴とする薄膜気相成長装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/31 B