特許

J-GLOBAL ID：200903072137420810

半導体記憶装置、及びメモリカード

発明者： 山田 直樹 ,  田中 利広 ,  大嶋 一義 ,  辻川 哲也 ,  吉竹 貴之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-309822
公開番号（公開出願番号）：特開平9-128987
出願日： 1995年11月02日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 不良データ線記憶のためのレーザカット工程を不要とすること、及びチップサイズの低減を図ることにある。【解決手段】 不良データ線記憶用素子として機能するフラッシュメモリセル41〜4n(41’〜4n’)を設け、ポリシリコンヒューズを採用した場合のようなレーザカット工程を不要として製造工数を低減する。そのようなフラッシュメモリセルへの書込みは、ポリシリコンヒューズとは異なり、使用期間がある程度経過した後に生じた不良に対しても有効とされる。また、上記フラッシュメモリセルを、ベリファイ後のオール判定用素子として機能させることにより、素子の低減化を図り、半導体記憶装置のチップサイズの低減化を達成する。

請求項（抜粋）：

フラッシュメモリセルアレイのワード選択のための複数のワード線と、それに交差するように配列された複数のデータ線とを含む半導体記憶装置において、不良データ線についての情報を記憶するための不良データ線記憶用素子として機能するフラッシュメモリセルを、上記データ線に対応して設けたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 29/00 301

FI (2件)：

G11C 17/00 309 F ,  G11C 29/00 301 B