溶融法によるBi系酸化物超電導導体の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：志賀正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-177233
公開番号（公開出願番号）：特開平5-002935
出願日： 1991年06月21日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】本発明は結晶配向性に優れ、臨界温度と臨界電流密度が高い酸化物超電導導体を製造する方法の提供を目的とする。【構成】本発明は金属基材上に酸化皮膜を形成し、その上にバッファ層を形成した後にBi系酸化物超電導体の原料粉末層を形成し、これを加熱炉において溶融させて溶融凝固層を形成した後に、再度レーザビームによる部分溶融加熱による一方向凝固を行なって酸化物超電導層を形成するものである。【効果】本発明によれば、金属基材の構成元素が酸化物超電導層側に拡散することが抑制され、厚さの均一な結晶配向性に優れた酸化物超電導層が得られる。よって臨界温度と臨界電流密度の高い、超電導特性の優れた酸化物超電導導体が得られる。

請求項（抜粋）：

金属基材の表面に酸化皮膜を形成し、酸化皮膜上にバッファ層を形成し、バッファ層上にBi系の酸化物超電導体を構成する元素を含有する原料粉末層を形成するとともに、この原料粉末層を加熱炉で870〜1000°Cに加熱して原料粉末層を溶融凝固層にするとともに、この後に溶融凝固層の一部にレーザビームを照射して照射部分に部分溶融帯を形成し、次にこの部分溶融帯を基材の長手方向に移動させて溶融凝固層の全体を順次一方向凝固させて酸化物超電導層を形成することを特徴とする溶融法によるBi系酸化物超電導導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01B 13/00 565 , C30B 29/22 501 , H01B 12/06 ZAA

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-216712
特開平1-286920
特開平2-187003

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