特許

J-GLOBAL ID：200903072145874196

単結晶育成装置用カーボンヒータ

発明者： 符 森林 ,  喜田 道夫 ,  小林 達宜 ,  内藤 宣正 ,  細田 浩二
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-277002
公開番号（公開出願番号）：特開平11-199371
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 1999年07月27日
要約：

【要約】【課題】減肉によるカーボンヒータの強度の低下を防止して寿命を長くする。【解決手段】カーボンヒータ41はるつぼ13に貯留された融液12に下端を接触させた種結晶を引上げて単結晶棒を育成し引上げとともに減少する融液12の量に応じてるつぼ13を上昇させるように構成された単結晶育成装置に用いられる。カーボンヒータ41はるつぼ13の側面を包囲する板状カーボン41にその鉛直方向に交互にスリットを設けることにより方形波状に形成され、引上げ前のるつぼ13の初期位置から引上げ後のるつぼ13の最高位置になるまでるつぼ13の側面に対向する部分のうち上端を除く部分であって外側部分又は内側部分のいずれか一方又は双方が厚肉に形成される。ヒータ表面をSiC膜により被覆することが好ましい。

請求項（抜粋）：

るつぼ(13)に貯留された融液(12)に下端を接触させた種結晶(24)を引上げて単結晶棒(25)を育成し引上げとともに減少する融液(12)の量に応じて前記るつぼ(13)を上昇させるように構成された単結晶育成装置(10)に用いられ、前記るつぼ(13)の側面を包囲する板状カーボンにその鉛直方向に交互にスリット(41a)を設けることにより方形波状に形成されたカーボンヒータ(41)において、引上げ前の前記るつぼ(13)の初期位置から引上げ後の前記るつぼ(13)の最高位置になるまで前記るつぼ(13)の側面に対向する部分のうち上端を除く部分であって外側部分又は内側部分のいずれか一方又は双方が厚肉に形成されたことを特徴とする単結晶育成装置用カーボンヒータ。

IPC (3件)：

C30B 15/14 ,  H05B 3/14 ,  H05B 3/66

FI (3件)：

C30B 15/14 ,  H05B 3/14 F ,  H05B 3/66

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-223090
  
• 特開昭61-053186
  
• 特開昭61-053187
  
• 特開昭60-131892