特許
J-GLOBAL ID：200903072148097778

局在化した立方晶のスピネル様の構造相を含まない層状リチウム金属酸化物及びその製造方法

発明者：
ガオ,ユアン

ガオ,ユアン について

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ヤコヴレヴァ,マリーナ

ヤコヴレヴァ,マリーナ について

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ワン,ヒュー・エイチ

ワン,ヒュー・エイチ について

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エンゲル,ジョン・エフ

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出願人/特許権者：
エフエムシー・コーポレイション

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代理人 (1件)： 奥山 尚一 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-582330
公開番号（公開出願番号）：特表2002-529361
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2002年09月10日
要約：
【要約】本発明は、局在化した立方晶のスピネル様構造を実質的に含まない六方晶系の層状結晶構造を持つ、実質的に単一な相のリチウム金属酸化物を含む。本発明のリチウム金属酸化物は式LiαMβAγO2を有し、式中、Mは一以上の遷移金属であり、Aは+2.5≦N≦+3.5、0.90≦α≦1.10及びβ+γ=1となるように平均酸化状態Nを有する一以上のドーパントである。本発明は、また、脱リチウム化形のこれらの化合物、これらの化合物を正極材料として用いるリチウム二次電池及びリチウムイオン二次電池、及びこれらの化合物の製造方法を含む。
請求項（抜粋）：
式LiαMβAγO2(式中、Mは一以上の遷移金属であり、Aは+2.5≦N≦+3.5、0.90≦α≦1.10及びβ+γ=1となるように平均酸化状態Nを有する一以上のドーパントである。)を持つ化合物であって、該化合物が実質的に単一相の六方晶系の層状結晶構造を有し、局在化した立方晶のスピネル様構造相を実質的に含まない化合物。
IPC (4件)：
C01G 51/00 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/58 ,  H01M 10/40
FI (4件)：
C01G 51/00 A ,  H01M 4/02 C ,  H01M 4/58 ,  H01M 10/40 Z
Fターム (28件)：
4G048AA04 ,  4G048AB05 ,  4G048AC06 ,  4G048AD06 ,  4G048AE05 ,  5H029AJ03 ,  5H029AJ05 ,  5H029AK03 ,  5H029AL12 ,  5H029AM03 ,  5H029AM07 ,  5H029BJ03 ,  5H029CJ02 ,  5H029DJ17 ,  5H029HJ00 ,  5H029HJ02 ,  5H029HJ13 ,  5H029HJ14 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050BA17 ,  5H050CA07 ,  5H050CB12 ,  5H050FA19 ,  5H050GA02 ,  5H050HA02 ,  5H050HA13 ,  5H050HA20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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