特許
J-GLOBAL ID:200903072148144610

半導体光集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三品 岩男 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-212014
公開番号(公開出願番号):特開平9-064464
出願日: 1995年08月21日
公開日(公表日): 1997年03月07日
要約:
【要約】【目的】エバネッセント結合によって、レーザ光を導波路に結合させる構成であって、高い効率で結合させることのできる光集積回路を提供する。【構成】半導体レーザに、レーザ光を発振するレーザ領域111と、結合領域112とを設ける。結合領域112は、レーザ領域111が発振した光を伝搬しながら、導波路16との間で周期的に行き来させることにより、レーザ光を導波路16に結合させる。結合領域112は、電気光学効果を有する材料で構成し、電圧を印加して、前記周期を変化させる。
請求項(抜粋):
半導体レーザと、前記半導体レーザから出射された光を伝搬するための導波路とを有する半導体集積回路において、前記半導体レーザは、レーザ光を発振するレーザ領域と、前記レーザ領域が発振した光を伝搬しながら、前記導波路との間で周期的に行き来させることにより、前記レーザ光を前記導波路に結合させるための結合領域とを有し、前記結合領域は、電気光学効果を有する材料で構成されていることを特徴とする半導体光集積回路。
IPC (5件):
H01S 3/18 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/12 ,  G02F 1/313 ,  H01S 3/096
FI (5件):
H01S 3/18 ,  G02F 1/313 ,  H01S 3/096 ,  G02B 6/12 B ,  G02B 6/12 J

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