特許

J-GLOBAL ID：200903072159024705

半導体用シリコンウェーハの鏡面研磨方法

発明者： 松尾 浩
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-123097
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303154
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 両面研磨装置を用いた鏡面研磨方法により、高精度の片面鏡面ウェーハを容易にかつ安定的に得ることが可能な半導体用シリコンウェーハの鏡面研磨方法の提供。【解決手段】 シリコンウェーハの非研磨予定面にCVD装置等で酸化膜を設けた後、両面研磨装置を用いて鏡面研磨を行い、その後この酸化膜をHF溶液により除去することにより、極めて高精度の平坦度を有する片面鏡面研磨ウェーハを得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体用シリコンウェーハの両面を同時にメカノケミカル研磨可能な両面研磨装置を用いる鏡面研磨方法において、ウェーハの非研磨予定面に酸化膜または窒化膜を形成し、このウェーハに両面研磨を施してウェーハの予定面のみに鏡面加工を行う半導体用シリコンウェーハの鏡面研磨方法。