特許

J-GLOBAL ID：200903072161828633

半導体装置及びその製造方法

発明者： 吉岡 充雄 ,  大久 晃 ,  望月 弘 ,  足達 廣士 ,  鐘ケ江 裕三
出願人/特許権者： 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 ,  三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000658
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183073
出願日： 1992年01月07日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 バッファー・コート膜をパターニングする際、アルミパッド12がエッチングに用いられるアルカリ液に直接浸ることを防止する。【構成】 シリコン・ラダー・ポリマー膜10の上にポリイミド膜7を形成し、無機ポリマーと有機ポリマーよりなる二重構造のバッファー・コート膜とする。そして、バッファー・コート膜をパターニングするに際し、まず、ポリイミド膜7をアルカリ液でエッチングし、次にシリコン・ラダー・ポリマー膜10をキシレンとアニソールとの混合液等の有機溶剤によりエッチングする。【効果】 バッファー・コート膜をパターニングするとき、アルミパッドが荒れ,変色等のダメージを受けることを防止でき、半導体装置の信頼性を向上することができる。

請求項（抜粋）：

回路の形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたパッドと、前記半導体基板上に形成された無機ポリマーよりなる第1のバッファー・コート膜と、前記第1のバッファー・コート膜上に形成された有機ポリマーよりなる第2のバッファー・コート膜と、前記半導体基板と前記パッドと前記第1及び第2のバッファー・コート膜を封止するモールド樹脂と、を備える半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31