特許
J-GLOBAL ID：200903072163046012
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-349260
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160120
出願日： 1991年12月04日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体装置において、素子分離絶縁膜の形状を改善する。【構成】 シリコン半導体基板1の一主面上に、多結晶シリコン膜6を堆積させ、前記多結晶シリコン膜の表面に第1のシリコン窒化膜3を堆積させ、素子分離領域となるべき部分の前記第1のシリコン窒化膜3を選択的に除去し、素子分離領域となるべき部分の前記多結晶シリコン膜を異方性エッチングにより薄くし、ランプ加熱によって上記素子分離領域の多結晶シリコンの表面を窒化して第2のシリコン窒化膜7を形成し、異方性エッチングにより、素子分離領域の側面部分のみに、上記第2の窒化膜を残存させ、上記窒化膜をマスクとして上記シリコン半導体基板を熱酸化して、素子分離絶縁膜を形成する。【効果】 ポリシリコンの横方向への酸化の進行が抑えられるので、素子分離絶縁膜の形状が改善される。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体基板の一主面上に、多結晶シリコン膜を堆積させる工程と、前記多結晶シリコン膜の表面に第1のシリコン窒化膜を堆積させる工程と、素子分離領域となるべき部分の前記第1のシリコン窒化膜を選択的に除去する工程と、素子分離領域となるべき部分の前記多結晶シリコン膜を異方性エッチングにより薄くする工程と、ランプ加熱によって上記素子分離領域の多結晶シリコンの表面を窒化して第2のシリコン窒化膜を形成する工程と、異方性エッチングにより、素子分離領域の側面部分のみに、上記第2の窒化膜を残存させる工程と、上記窒化膜をマスクとして上記シリコン半導体基板を熱酸化して、素子分離絶縁膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/318
, H01L 21/76
