特許

J-GLOBAL ID：200903072167046270

半導体基板の製造方法と原料ガスの供給装置

発明者： 池谷 晃
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-173839
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027455
出願日： 1995年07月11日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】 気化した液体原料ガスまたは固体原料ガスを、供給量が時間的に変動することなく、安定して供給することができ、気相成長させた薄膜の組成や厚さの変動を防ぐことができる半導体基板の製造方法と原料ガスの供給装置を提供する。【構成】 液体原料または固体原料を入れた原料容器に気体の輸送ガスを流し、輸送ガスとの混合ガスとして気化した液体原料または固体原料を反応炉に供給し、反応炉内に設置した半導体基板上に前記液体原料または固体原料を成長させる半導体基板の製造方法において、原料容器から出てきた前記混合ガスを、略等温下で圧縮し、気化した液体原料ガスまたは固体原料ガスの分圧を飽和蒸気圧にする過程を経た後、反応炉に供給し、反応炉内に設置した半導体基板上に前記原料を堆積させる。

請求項（抜粋）：

液体原料または固体原料を入れた原料容器に気体の輸送ガスを流し、輸送ガスとの混合ガスとして気化した液体原料または固体原料を反応炉に供給し、反応炉内に設置した半導体基板上に前記液体原料または固体原料を成長させる半導体基板の製造方法において、原料容器から出てきた前記混合ガスを、略等温下で圧縮し、気化した液体原料ガスまたは固体原料ガスの分圧を飽和蒸気圧にする過程を経た後、反応炉に供給し、反応炉内に設置した半導体基板上に前記原料を堆積させることを特徴とする半導体基板の製造方法

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/44

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 B ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/44 C