特許
J-GLOBAL ID：200903072168711200
薄膜トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曽々木 太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-359452
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183165
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 ソ-ス、ドレイン電極の歯の部分が細く、ソ-ス、ドレインの電極間距離が狭いため、パタ-ニングが非常に困難であるという欠点が解消された薄膜トランジスタを提供する。【構成】 逆スタガ一薄膜トランジスタ等の薄膜トランジスタにおいて、一対の電極5の一方または両方が櫛状に形成されており、かつ、ゲ-ト電極2の長手方向に一対の電極5の侵入しない領域が連続的に形成されているものである。
請求項（抜粋）：
半導体層、該半導体表面とオーミックに接合される一対の電極、該半導体表面に接して形成されるゲート絶縁層、該ゲート絶縁層の他端面側に形成され該ゲート絶縁層により半導体層と絶縁性を保たれたゲート電極を、絶縁基板に積層した構造を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、一対の電極の一方または両方が櫛状に形成されており、ゲート電極の長手方向に一対の電極の侵入しない領域が連続的に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
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