特許
J-GLOBAL ID：200903072168785476

有機半導体素子、有機半導体素子の製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ

発明者：
本多 浩之

本多 浩之 について

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小林 弘典

小林 弘典 について

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松岡 雅尚

松岡 雅尚 について

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永江 充孝

永江 充孝 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (2件)： 山下 昭彦 ,  岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-252197
公開番号（公開出願番号）：特開2009-087996
出願日： 2007年09月27日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：
【課題】各有機半導体トランジスタが性能に優れ、かつ、バラツキが少なく、さらに、高効率で製造可能な有機半導体素子を提供する。【解決手段】基板1と、上記基板上に形成されたソース電極2およびドレイン電極3と、少なくとも上記ソース電極およびドレイン電極が対向されてなるチャネル領域上が開口部となるように形成された絶縁性隔壁部4と、上記絶縁性隔壁部の開口部内であり、かつ、上記ソース電極および上記ドレイン電極上に形成された有機半導体層5と、上記有機半導体層上に形成され、絶縁性樹脂材料からなるゲート絶縁層6と、上記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極7と、を有する有機半導体素子10であって、上記ソース電極およびドレイン電極の形状が、上記チャネル領域を形成するチャネル部と、上記チャネル部に連結し、上記絶縁性隔壁部の開口部外へ接続されるように形成されたガイド部とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、 前記ソース電極および前記ドレイン電極上に形成され、絶縁性材料からなり、少なくとも前記ソース電極およびドレイン電極が対向されてなるチャネル領域上が開口部となるように形成された絶縁性隔壁部と、 前記絶縁性隔壁部の開口部内であり、かつ、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に形成された有機半導体層と、 前記有機半導体層上に形成され、絶縁性樹脂材料からなるゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、を有する有機半導体素子であって、 前記ソース電極およびドレイン電極の形状が、前記チャネル領域を形成するチャネル部と、前記チャネル部に連結し、前記絶縁性隔壁部の開口部外へ接続されるように形成されたガイド部とを有するものであり、かつ、前記チャネル部の長さよりも、前記ガイド部の線幅が短いことを特徴とする、有機半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  G02F 1/136
FI (7件)：
H01L29/78 616T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28 100A ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 612C
Fターム (37件)：
2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JB56 ,  2H092KA09 ,  2H092KB25 ,  2H092MA01 ,  2H092NA24 ,  2H092NA27 ,  2H092PA06 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD11 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33 ,  5F110HM04 ,  5F110NN04 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ06
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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