特許

J-GLOBAL ID：200903072177173386

表面疎水性活性炭とその製造法

発明者： 中西 洋一郎 ,  本城 国明 ,  本庄 孝子
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院大阪工業技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-262359
公開番号（公開出願番号）：特開平9-077508
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月25日
要約：

【要約】【課題】活性炭、活性炭素繊維などの活性炭材料の表面に適度の疎水性を与えることにより、地下水などに含まれる有機塩素化合物の吸着性能を高め、地下水などの汚染水を効率よく浄化する技術を提供することを主な目的とする。【解決手段】1.トリメチルクロロシランにより処理されており、X線光分光法により測定したその表面のシリコン濃度Si<SB>2p</SB>/<U>C<SB>ls</U></SB>が0.005〜0.03で、平衡水分率曲線で測定した水の吸着開始湿度が45〜60%の範囲にあることを特徴とする、表面疎水性活性炭。2.吸着等温線の吸着係数kで表した有機塩素化合物の吸着能が、未処理状態でのk=100以下からトリメチルクロロシラン処理によりk=210以上に高めらている上記項1に記載の表面疎水性活性炭。3.活性炭をトリメチルクロロシランの蒸気または溶液で処理することを特徴とする表面疎水性活性炭の製造方法。

請求項（抜粋）：

トリメチルクロロシランにより処理されており、X線光分光法により測定したその表面のシリコン濃度Si2p/Cisが0.005〜0.03で、平衡水分率曲線で測定した水の吸着開始湿度が45〜60%の範囲にあることを特徴とする、表面疎水性活性炭。

IPC (3件)：

C01B 31/08 ,  B01J 20/20 ,  C02F 1/28 ZAB

FI (3件)：

C01B 31/08 Z ,  B01J 20/20 E ,  C02F 1/28 ZAB D