特許

J-GLOBAL ID：200903072181940774

キャパシタ形成方法

発明者： 今井 馨太郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-061862
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273220
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【構成】 シリコン基板101表面の一主面とポリシリコン109で電気的に接続されたTiN膜110を形成する工程と、このTiN膜110上にニオブ膜111を選択的に形成する工程と、全面にSrTiO3 膜112を形成する工程と、アニールにより前記ニオブ膜111上の前記SrTiO3 膜112中に選択的にニオブを拡散せしめる工程と、全面にSrTiO3 膜113を形成する工程と、このSrTiO3 膜113上にTiN膜114を形成する工程とを有するキャパシタ形成方法。【効果】 良好な界面特性を実現することが可能となり、微細なキャパシタ構造においても十分に高いキャパシタ容量を実現した高信頼性キャパシタを提供することができる。

請求項（抜粋）：

基板上にペロブスカイト型構造をもつ第1の絶縁膜に対しドナーまたはアクセプタを形成する元素を含む膜を選択的に形成する工程と、全面に前記ペロブスカイト型構造をもつ第1の絶縁膜を形成する工程と、前記ドナーまたはアクセプタを形成する元素を含む膜中の該元素をアニールにより前記第1の絶縁膜中に選択的に拡散せしめる工程と、第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、この第2の絶縁膜上に導電膜を形成する工程とを具備することを特徴とするキャパシタ形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/10 325 C