特許
J-GLOBAL ID：200903072183221015

反射型マスクブランク及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法

発明者：
細谷 守男

細谷 守男 について


出願人/特許権者：
HOYA株式会社

HOYA株式会社 について


代理人 (1件)： 大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-150487
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332153
出願日： 2005年05月24日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】成膜時やその後の加熱処理による反射率の低下を抑制して耐熱性を向上させた反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。【解決手段】基板1と、基板1上に順次形成された露光光を反射する多層反射膜2と、保護膜6と、バッファー層3と、露光光を吸収する吸収体膜4とを有する反射型マスクブランク10であって、保護膜6は、ルテニウム(Ru)、又は、ルテニウム(Ru)と、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、ジルコニウム(Zr)、イットリウム(Y)、硼素(B)、チタン(Ti)、ランタン(La)から選ばれる少なくとも1種とを含有するルテニウム化合物からなり、多層反射膜2と保護膜6との間に、屈折率(n)が0.90よりも大きく、且つ、消衰係数(k)が-0.020よりも小さい材料からなる熱拡散抑制膜7を形成する。反射型マスク20は、この反射型マスクブランクの吸収体膜4に転写パターン4aが形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された該多層反射膜を保護する保護膜と、該保護膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有する反射型マスクブランクであって、 前記保護膜は、ルテニウム(Ru)、又は、ルテニウム(Ru)と、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、ジルコニウム(Zr)、イットリウム(Y)、硼素(B)、チタン(Ti)、ランタン(La)から選ばれる少なくとも1種とを含有するルテニウム化合物からなり、 前記多層反射膜と前記保護膜との間に、屈折率(n)が0.90よりも大きく、且つ、消衰係数(k)が-0.020よりも小さい材料からなる熱拡散抑制膜を設けたことを特徴とする反射型マスクブランク。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08
FI (2件)：
H01L21/30 531M ,  G03F1/08 A
Fターム (7件)：
2H095BA10 ,  2H095BB01 ,  2H095BC20 ,  2H095BC24 ,  5F046GD06 ,  5F046GD07 ,  5F046GD15
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特公平7-27198号公報
  • 反射型フォトマスク
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-314292   出願人：三星電子株式会社, 株式会社日立製作所, 富士通株式会社

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