特許

J-GLOBAL ID：200903072186411354

半導体装置の製造方法

発明者： 濱口 恒夫 ,  利田 賢二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-060147
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260892
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 周辺部の膨らみによる外観不良もなく、信頼性の高い半導体装置の製造方法を得ること。【解決手段】 熱硬化性接着剤3を配線基板2表面に配設する工程と、熱硬化性接着剤3の熱硬化温度以下の温度で加熱された半導体素子1を配線基板2に押し付け、半導体素子の電極1aと配線基板の電極2aが接触後、半導体素子1を熱硬化温度以上まで加熱し、熱硬化性接着剤を硬化させる工程とを備えた。

請求項（抜粋）：

熱硬化性接着剤を配線基板表面に配設する工程と、前記熱硬化性接着剤の熱硬化温度以下の温度で加熱された半導体素子を前記配線基板に押し付け、前記半導体素子の電極と前記配線基板の電極が接触後、半導体素子を前記熱硬化温度以上まで加熱し、前記熱硬化性接着剤を硬化させる工程とを備えた半導体装置の製造方法。