半導体リレー

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-294046
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119283
出願日： 1999年10月15日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】オン抵抗を増大させることなく、過電流を検出して過電流を遮断できるようにした半導体リレーを提供する。【解決手段】半導体リレーAは、入力信号に応じて光信号を発生する発光素子1と、発光素子1の光信号を受けて電気信号を発生する受光素子アレイ2と、受光素子アレイ2の電気信号に応じて出力端子間を開閉する開閉部3とを備え、開閉部3はゲート同士及びソース同士が夫々接続されたMOSFET4,5から構成される。MOSFET4,5のゲート・ソース間にはMOSFET9,10のドレイン・ソース間が接続され、MOSFET9,10のゲートは夫々MOSFET4,5のドレインに接続される。負荷短絡などの発生時にMOSFET4,5のドレインにしきい値電圧を越える電圧が発生すると、MOSFET9,10がオンになり、MOSFET4,5のゲート・ソース間を短絡する。

請求項（抜粋）：

入力信号に応じて光信号を発生する発光素子と、発光素子の光信号を受けて電気信号を発生する受光素子と、受光素子の一方の出力端が制御端子に接続され、前記電気信号に応じて駆動される出力用の第1の絶縁ゲート型半導体スイッチとを備え、第1の絶縁ゲート型半導体スイッチの制御端子と受光素子の他方の出力端との間に、第1の絶縁ゲート型半導体スイッチの出力端の電圧がしきい値電圧を越えるとオンする第2の絶縁ゲート型半導体スイッチを設けて成ることを特徴とする半導体リレー。

IPC (2件)：

H03K 17/78 , H03K 17/08

FI (2件)：

H03K 17/78 , H03K 17/08 C

Fターム (27件)：

5J050AA33 , 5J050AA38 , 5J050BB21 , 5J050CC01 , 5J050DD03 , 5J050DD08 , 5J050EE17 , 5J050EE27 , 5J050FF04 , 5J050FF10 , 5J055AX34 , 5J055AX36 , 5J055AX38 , 5J055AX52 , 5J055BX48 , 5J055CX07 , 5J055DX22 , 5J055DX28 , 5J055EX07 , 5J055EX23 , 5J055EZ05 , 5J055FX04 , 5J055FX08 , 5J055FX19 , 5J055FX20 , 5J055FX32 , 5J055GX01

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