特許

J-GLOBAL ID：200903072190520630

半導体整流素子

発明者： 野間 真樹子 ,  岩黒 弘明 ,  笹原 喜一郎 ,  矢口 真由美 ,  吉田 美紀夫
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社 ,  株式会社東根新電元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-187195
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015771
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】接触金属層とAl層との密着性を向上させ、剥離現象をなくした半導体整流素子を提供する。【解決手段】本発明は、上記の点にかんがみ、接触金属層5とAl層10との間に接触金属層とAl層の両方に接着強度の強い、Ni11を介在せしめ、前述の剥離現象を防止する構造の素子を提供するものである。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基体と,該半導体基体の表面に接触形成されたショットキ金属層と、該ショットキ金属層に積層されたNi薄膜層と、該Ni薄膜層上に形成されたクッション材としてのAl金属層と、該Al金属膜に形成された電極金属層を備えたことを特徴とする半導体整流素子。

Fターム (5件)：

4M104BB16 ,  4M104CC03 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH08