特許

J-GLOBAL ID：200903072193614767

光起電力素子

発明者： 三島 孝博 ,  石川 直揮
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-096229
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298078
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】 低温処理プロセスを用いることで、大きなキャリアライフタイムを有する高品質な半導体基板の状態を維持し、これにより発電効率等の電気的特性に優れた太陽電池等の光起電力素子を提供する。【解決手段】 半導体基板11の光入射面と反対の面にPN接合と電極を形成した裏面接合型太陽電池において、前記PN接合を形成する面全体に、0.1nm以上50nm以下の膜厚の真性半導体膜12と、該膜上にP型およびN型の導電性半導体層13,14と、該半導体層上に設けた電極15,16とを備えた。

請求項（抜粋）：

半導体基板の光入射面と反対の面にPN接合と電極を形成した裏面接合型太陽電池において、前記PN接合を形成する面全体に、0.1nm以上50nm以下の膜厚の真性半導体膜と、該膜上にP型およびN型の導電性半導体層と、該半導体層上に設けた電極とを備えたことを特徴とする裏面接合型光起電力素子。

Fターム (10件)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA05 ,  5F051CA14 ,  5F051DA03 ,  5F051DA07 ,  5F051DA20 ,  5F051HA03