半導体基板およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-185909
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019898
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】エピタキシャル膜が埋設されたトレンチ溝を有してその表面が平坦化される領域を有していながら、そのアライメントマーク形成領域に、より認識性の高いアライメントマークを備える半導体基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】アライメントマーク形成領域A1にトレンチ溝21からなるアライメントパターンを形成し、該アライメントパターンを覆う態様で透光性の膜材3aを成膜する。次いで、拡散層形成領域A2にトレンチ溝22を形成し、このトレンチ溝22を埋め込むかたちでエピタキシャル膜4を成膜する。その後、上記膜材3aによりアライメントパターンが覆われた状態で基板表面に平坦化処理を施すことにより、アライメントマークM1aを形成する。こうして形成されたアライメントマークM1aを用い、拡散層パターンと後工程において加工するマスクパターンとのマスク合わせを行う。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

エピタキシャル膜が埋設されたトレンチ溝を有して表面が平坦化され、所定のアライメントマーク形成領域にアライメントマークが形成されてなる半導体基板であって、前記アライメントマークは、前記アライメントマーク形成領域にトレンチ溝からなるアライメントパターンを有し、該アライメントパターンの溝中に透光性の膜材が埋設されて形成されてなることを特徴とする半導体基板。

IPC (2件)：

H01L21/027 , G03F9/00

FI (2件)：

H01L21/30 502M , G03F9/00 H

Fターム (5件)：

5F046EA03 , 5F046EA09 , 5F046EA12 , 5F046EA16 , 5F046EB05

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平1-169963
特開平1-169963
特開平4-002115

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