結晶材料の製造方法および半導体素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福島祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-083187
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277448
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】イオン注入による損傷が十分に回復された結晶材料の製造方法および半導体素子の製造方法を提供することである。【解決手段】 n型6H-SiCにAlイオンを注入した後、波長248nmのKrFレーザを発振時間が1μ秒以下の1または複数のパルスとして照射し、SiC結晶を溶融させずにイオン注入による照射損傷を回復させる。レーザ光の1パルス当たりの照射エネルギー密度は0.2〜1.5J/cm2 とする。

請求項（抜粋）：

所定の元素がイオン注入された結晶材料に、前記結晶材料のバンドギャップのエネルギーとほぼ同じかまたは前記結晶材料のバンドギャップのエネルギーよりも高いエネルギーのレーザ光を前記結晶材料を溶融させない状態で照射することを特徴とする結晶材料の製造方法。

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