特許

J-GLOBAL ID：200903072197994777

半導体装置の製造方法

発明者： 竹原 宏泰 ,  石川 修 ,  太田 順道
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-145267
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343346
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 金属膜の堆積工程において、オゾンによるフォトレジスト残渣の除去と半導体表面の酸化を行うことで良好な金属-半導体界面を得る。または絶縁膜の堆積工程においてオゾンによる半導体表面の酸化を行うことで良好な半導体-絶縁膜界面を得る。【構成】 金属膜堆積の際に、化合物半導体基板1に塗布されたフォトレジスト3を露光、現像したのちに現像領域に残ったフォトレジスト残渣2をオゾンを用いて化学的に除去すると共にオゾンの酸化力を利用して現像領域の半導体表面を酸化し、そのあとオゾンにより形成された酸化層9を公知のエッチング技術で除去し、引き続いて金属膜の堆積を順次行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板に塗布されたフォトレジストを露光、現像する工程、現像領域に残ったフォトレジスト残渣をオゾンを用いて化学的に除去すると共に、オゾンの酸化力を利用して現像領域の半導体表面を酸化する工程、前記オゾンにより形成された酸化層をエッチング除去する工程、前記現像領域に金属膜の堆積する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/30 361 L ,  H01L 21/30 361 P ,  H01L 21/30 361 R