特許

J-GLOBAL ID：200903072210729026

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 石 田 有 親 ,  松 浦 由 紀 ,  高 見 明 宏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-025816
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229411
出願日： 2002年02月01日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】 薄膜トランジスタの製造方法であって、シリコン層上のシリコン酸化膜にコンタクトホールを形成する際に、シリコン酸化膜のエッチング速度を安定させ、シリコン酸化膜のエッチング残りによる歩留まりの低下をなくす。【解決手段】 シリコンからなる活性層上にシリコン酸化膜を形成する工程と、フッ素と炭素を含む第1のガスと、水素を含む第2のガスと、をエッチングガスとして、プラズマ放電を用いて、前記シリコン酸化膜をエッチングして、前記シリコン酸化膜に前記活性層の一部を露呈させるコンタクトホールを形成するドライエッチング工程と、を備え、前記ドライエッチング工程におけるプラズマ放電開始時のエッチング条件を、プラズマ放電安定時よりもフロロカーボンの生成量が少なくなるエッチング条件とすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

シリコンからなる活性層上にシリコン酸化膜を形成する工程と、フッ素と炭素を含む第1のガスと、水素を含む第2のガスと、をエッチングガスとして、プラズマ放電を用いて、前記シリコン酸化膜をエッチングして、前記シリコン酸化膜に前記活性層の一部を露呈させるコンタクトホールを形成するドライエッチング工程と、を備え、プラズマ放電開始時における前記第1のガスの流量を前記第2のガスの流量で割った比を、プラズマ放電安定時における前記第1のガスの流量を前記第2のガスの流量で割った比よりも大きくすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

G02F 1/1368 ,  H01L 21/302 A ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 627 C

Fターム (35件)：

2H092JA25 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA46 ,  2H092JB57 ,  2H092KA04 ,  2H092KA12 ,  2H092KB25 ,  2H092MA13 ,  2H092MA18 ,  2H092NA29 ,  5F004AA05 ,  5F004BA20 ,  5F004CA02 ,  5F004CA07 ,  5F004CA08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA16 ,  5F004DA24 ,  5F004DA30 ,  5F004DB03 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL14 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11