特許

J-GLOBAL ID：200903072210822727

半導体装置及びこれに用いる保護回路

発明者： 小林 信夫
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-196900
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017574
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 寄生容量の少なく、サージ耐圧、サージ電流容量が大きく、応答速度の速く、面積の小さい保護回路を提供する。【解決手段】 半導体発光素子(被保護素子)1、被保護素子1のアノード電極5とカソード電極6との間に、互いに逆方向に直列接続された第1及び第2の定電圧ダイオードD1、D2、アノード電極5にエミッタが接続され、カソード電極6にコレクタが接続され、第1及び第2の定電圧ダイオードD1、D2との接続点Pにベースが接続された第1のバイポーラトランジスタQ1、アノード電極5にコレクタが接続され、カソード電極6にエミッタが接続され、第1及び第2の定電圧ダイオードD1、D2との接続点Pにベースが接続された第2のバイポーラトランジスタQ2とを少なくとも有する。

請求項（抜粋）：

アノード電極及びカソード電極を有する被保護素子と、前記アノード電極とカソード電極との間に、互いに逆方向に直列接続された第1及び第2の定電圧ダイオードと、前記アノード電極にエミッタが接続され、前記カソード電極にコレクタが接続され、前記第1及び第2の定電圧ダイオードとの接続点にベースが接続された第1のバイポーラトランジスタと、前記アノード電極にコレクタが接続され、前記カソード電極にエミッタが接続され、前記第1及び第2の定電圧ダイオードとの接続点にベースが接続された第2のバイポーラトランジスタとを少なくとも有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/331 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/732 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01L 33/00 J ,  H01L 33/00 N ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/06 101 P ,  H01L 29/72 P

Fターム (34件)：

5F003AP06 ,  5F003BJ03 ,  5F003BJ06 ,  5F003BJ10 ,  5F003BJ12 ,  5F038BH04 ,  5F038BH06 ,  5F038BH15 ,  5F038EZ20 ,  5F041AA02 ,  5F041AA23 ,  5F041CA40 ,  5F041DA01 ,  5F041DA07 ,  5F041DA43 ,  5F041DA83 ,  5F041DB01 ,  5F082AA03 ,  5F082AA33 ,  5F082BA02 ,  5F082BA26 ,  5F082BA31 ,  5F082BA47 ,  5F082BA48 ,  5F082BC03 ,  5F082BC04 ,  5F082BC09 ,  5F082BC11 ,  5F082BC20 ,  5F082DA02 ,  5F082FA01 ,  5F082FA16 ,  5F082GA02 ,  5F082GA04