特許

J-GLOBAL ID：200903072211272500

光照射によるポリアリレンビニレンポリマー薄膜のパターン化

発明者： ウェンビン カン ,  ヌ ユウ ,  常田 明彦
出願人/特許権者： ヘキストジャパン株式会社
代理人 (1件)： 湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-203322
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070138
出願日： 1994年08月29日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【構成】 式(I)で示されるポリアリレンビニレンポリマー(式中、Arは置換もしくは未置換の2価の芳香族炭化水素基または置換もしくは未置換の2価のヘテロ環基であり、これらの芳香族炭化水素基およびヘテロ環基は縮合環であっても良く、nは2以上の整数である)の薄膜に、光照射処理することによりパターンを形成する方法、該方法により製造されたパターン化されたポリマー薄膜および該パターン化されたポリマー薄膜を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。【化1】【効果】 上記方法によれば、光照射された部分の蛍光強度を段階的に減少させることが可能であり、所望の蛍光強度パターンを有するポリアリレンビニレンポリマー薄膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

式(I)【化1】(式中、Arは置換もしくは未置換の2価の芳香族炭化水素基または置換もしくは未置換の2価のヘテロ環基であり、これらの芳香族炭化水素基およびヘテロ環基は縮合環であっても良く、nは2以上の整数である)で示されるポリアリレンビニレンポリマーの薄膜に光照射処理することによってパターンを形成する方法。

IPC (6件)：

H01L 33/00 ,  C08G 61/02 NLF ,  C08G 61/12 ,  C09K 11/06 ,  G03C 1/73 ,  H05B 33/10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 画像形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-243210   出願人：株式会社リコー
• 特開平2-127642
  
• 有機エレクトロルミネッセンス素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-300903   出願人：住友化学工業株式会社
• 特開昭63-081424