特許

J-GLOBAL ID：200903072212198141

半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者： 中平 順也 ,  清利 正弘
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 北野 好人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-159415
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353208
出願日： 2001年05月28日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 電気特性等の成膜特性に優れたBST膜やST膜等の高誘電体膜を形成することができる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】 反応室10内に複数枚のウェーハ22をウェーハ面に垂直な方向に所定の間隔をあけて配列した状態で保持するボート23と、複数枚のウェーハ22の配列方向に略平行に設けられ、複数枚のウェーハ22のそれぞれの表面近傍に層状の酸化ガス流を形成する酸化ガス導入用ノズル32と、複数枚のウェーハ22の配列方向に略平行に設けられ、複数枚のウェーハ22のそれぞれの表面近傍に層状の原料ガス流を形成する分散ノズル30とを有する。

請求項（抜粋）：

原料ガスと酸化ガスとを反応室内に導入し、化学気相成長法によりBST膜又はST膜をウェーハ上に形成する半導体装置の製造方法において、前記反応室内のウェーハの表面近傍に層状の酸化ガス流を形成し、前記ウェーハ表面近傍に層状の原料ガス流を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/40

FI (2件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/40

Fターム (29件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA42 ,  4K030BA46 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030EA04 ,  4K030FA10 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AD09 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045DC63 ,  5F045DP19 ,  5F045EB02 ,  5F045EC02 ,  5F045EC05 ,  5F045EE02 ,  5F045EE12 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EK06 ,  5F045EM08 ,  5F045EM09