特許

J-GLOBAL ID：200903072215562871

プラズマCVD法及びプラズマCVD装置

発明者： 金 康憲
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-155420
公開番号（公開出願番号）：特開平11-006071
出願日： 1997年06月12日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】 プラズマCVD法によって成膜を行うに際して、支持体を十分に冷却して熱変形を抑えるとともに、異常放電を防止し、成膜に支障を来すことなくCVD膜を成膜する。【解決手段】 長尺状の非磁性支持体上に金属薄膜を形成した後、この非磁性支持体を、冷却キャンに沿って連続走行させながら、金属薄膜上にプラズマCVD法によって薄膜を成膜するに際して、上記冷却キャンとして、金属キャン12の外周面全面にセラミックよりなる絶縁層15が0.3〜1.0mmの厚さで形成されてなるものを用いる。

請求項（抜粋）：

長尺状の非磁性支持体上に金属薄膜を形成した後、この非磁性支持体を、冷却キャンに沿って連続走行させながら、金属薄膜上にプラズマCVD法によって薄膜を成膜するに際して、上記冷却キャンとして、金属キャンの外周面全面に絶縁性セラミックよりなる絶縁層が0.3〜1.0mmの厚さで形成されてなるものを用いることを特徴とするプラズマCVD法。

IPC (3件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  G11B 5/84

FI (3件)：

C23C 16/44 Z ,  C23C 16/50 ,  G11B 5/84 Z