特許

J-GLOBAL ID：200903072218269067

二次電池及び二次電池の製造方法

発明者： 谷 篤 ,  川上 総一郎
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-058368
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273138
出願日： 2003年03月05日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】活物質利用率が高く、エネルギー密度が高く、且つ耐過充電性に優れ、長寿命である正極を備えた二次電池およびその製造方法を提供する。【解決手段】水酸化ニッケルを正極の活物質層の主構成材料とする二次電池であって、前記水酸化ニッケルが、α型の結晶構造を有する水酸化ニッケルを含有し、前記結晶結晶構造中には、少なくともアルミニウムとチタンとを共晶または固溶状態で含有していることを特徴とする。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

水酸化ニッケルを主構成材料とする活物質からなる活物質層と集電体を有する正極、負極、セパレータ及びアルカリ電解液を有する二次電池において、前記水酸化ニッケルが、α型の結晶構造を有する水酸化ニッケルを含有し、前記水酸化ニッケルの結晶中には、少なくともアルミニウムとチタンとを共晶または固溶状態で含有していることを特徴とする二次電池。

IPC (7件)：

H01M4/52 ,  C01G53/00 ,  H01M4/26 ,  H01M4/32 ,  H01M4/62 ,  H01M4/66 ,  H01M10/30

FI (7件)：

H01M4/52 ,  C01G53/00 A ,  H01M4/26 E ,  H01M4/32 ,  H01M4/62 C ,  H01M4/66 A ,  H01M10/30 Z

Fターム (48件)：

4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AC06 ,  4G048AD03 ,  4G048AE05 ,  5H017AA02 ,  5H017BB16 ,  5H017CC01 ,  5H017CC05 ,  5H017CC25 ,  5H017CC28 ,  5H017EE04 ,  5H017EE09 ,  5H028BB05 ,  5H028BB06 ,  5H028BB10 ,  5H028EE01 ,  5H028EE04 ,  5H028HH01 ,  5H028HH08 ,  5H050AA03 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050BA11 ,  5H050CA03 ,  5H050CA04 ,  5H050CB13 ,  5H050CB14 ,  5H050CB16 ,  5H050DA02 ,  5H050DA04 ,  5H050DA10 ,  5H050EA02 ,  5H050EA08 ,  5H050EA12 ,  5H050FA13 ,  5H050FA16 ,  5H050FA17 ,  5H050FA18 ,  5H050FA19 ,  5H050GA02 ,  5H050GA05 ,  5H050GA10 ,  5H050GA22 ,  5H050GA24 ,  5H050HA01 ,  5H050HA02 ,  5H050HA14