特許
J-GLOBAL ID：200903072228378387
光電子集積回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044409
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243552
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 小さな電圧振幅の入力信号で外部から変調可能な、面発光半導体レーザが2次元アレイ状に配列された光電子集積回路を提供する。【構成】 p型GaAsよりなる半導体基板101上に、面発光半導体レーザ102とヘテロ接合バイポーラトランジスタ103の積層構造よりなる単位セル104が2次元アレイ状(紙面横方向および奥行き方向)に配列されている。ヘテロ接合バイポーラトランジスタ103のエミッタ電極111は横方向に隣接する単位セル104間を接続する行配線112に接続され、ベース電極113は奥行き方向に隣接する単位セル104間を接続する列配線114に接続されている。面発光半導体レーザ102のアノードは結晶内部で半導体基板101に接続され、半導体基板101は基板電極116を介して接地されている。
請求項（抜粋）：
導電性の半導体基板と、前記半導体基板にアノードが接続された面発光半導体レーザと、前記面発光半導体レーザのカソードにコレクタが接続されたヘテロ接合バイポーラトランジスタと、前記面発光半導体レーザと前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタを含む単位セルが前記半導体基板上に2次元アレイ状に配列されたセルアレイと、前記セルアレイ内で行方向に隣接する前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタを共通に接続する行配線と、前記セルアレイ内で列方向に隣接する前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタのベースを共通に接続する列配線とを有することを特徴とする光電子集積回路。
IPC (5件)：
H01L 27/15
, H01L 29/205
, H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01S 3/18
