特許

J-GLOBAL ID：200903072229306720

シリコン窒化膜形成方法

発明者： 江口 勇司
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
代理人 (1件)： 橋本 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-322290
公開番号（公開出願番号）：特開2005-089791
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】 大気圧近傍の圧力下においてプラズマCVD法によってシリコン窒化膜を形成する場合に、膜質を良好に維持しつつ成膜速度を向上させるとともに、成膜コストも低減させる。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下においてプラズマCVD法によってシリコン窒化膜を形成する方法であって、原料ガスに混合する希釈ガスとして窒素ガスを使用する。原料ガスとしてSiH4ガス及びNH3ガスを使用し、NH3ガスの濃度を0.1〜20%、SiH4ガスとNH3ガスとの流量比を1:3〜1:100とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

大気圧近傍の圧力下においてプラズマCVD法によって基材の表面にシリコン窒化膜を形成する方法であって、原料ガスに混合する希釈ガスとして窒素ガスを使用することを特徴とするシリコン窒化膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C16/42 ,  C23C16/515 ,  H01L21/318

FI (3件)：

C23C16/42 ,  C23C16/515 ,  H01L21/318 B

Fターム (14件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030FA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA18 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01